UF3SC065030D8S

Número de Producto del Fabricante:

UF3SC065030D8S

Product Overview

Fabricante:

Qorvo

Número de pieza:

UF3SC065030D8S-DG

Descripción:

SICFET N-CH 650V 18A 4DFN

Descripción Detallada:

N-Channel 650 V 18A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount 4-DFN (8x8)

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12967449

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UF3SC065030D8S Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Qorvo

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

SiCFET (Cascode SiCJFET)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

650 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

18A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

12V

rds activados (máx.) @ id, vgs

42mOhm @ 20A, 12V

vgs(th) (máx.) @ id

6V @ 10mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

43 nC @ 12 V

Vgs (máx.)

±25V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1500 pF @ 100 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

179W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

4-DFN (8x8)

Paquete / Caja

4-PowerTSFN

Número de producto base

UF3SC065030

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

2,500

Otros nombres

2312-UF3SC065030D8SDKR

2312-UF3SC065030D8STR

2312-UF3SC065030D8SCT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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