ISL9N310AD3
Número de Producto del Fabricante:

ISL9N310AD3

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

ISL9N310AD3-DG

Descripción:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 35A (Tc) 70W (Ta) Through Hole TO-251 (IPAK)

Inventario:

3028 Pcs Nuevos Originales En Stock
12967481
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ISL9N310AD3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
UltraFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10Ohm @ 35A, 10A
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1800 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
70W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251 (IPAK)
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
740
Otros nombres
FAIFSCISL9N310AD3
2156-ISL9N310AD3

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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