Número de Producto del Fabricante:
TP65H150G4LSG
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
Número de pieza:
TP65H150G4LSG-DG
Descripción:
GAN FET N-CH 650V PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Inventario:
2939 Pcs Nuevos Originales En Stock
13275976
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ENVIAR
TP65H150G4LSG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalaje
Tray
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.8V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
598 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
3-PQFN (8x8)
Paquete / Caja
3-PowerTDFN
Número de producto base
TP65H150
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
1707-TP65H150G4LSG
1707-TP65H150G4LSGDKR
1707-TP65H150G4LSGCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TP65H150G4LSG-TR
FABRICANTE
Transphorm
CANTIDAD DISPONIBLE
2884
NÚMERO DE PIEZA
TP65H150G4LSG-TR-DG
PRECIO UNITARIO
2.18
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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