Número de Producto del Fabricante:
IPA029N06NM5SXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPA029N06NM5SXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 87A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 87A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Inventario:
488 Pcs Nuevos Originales En Stock
13276407
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ENVIAR
IPA029N06NM5SXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS™5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
87A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 87A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.3V @ 36µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5300 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220 Full Pack
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IPA029
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP001953044
448-IPA029N06NM5SXKSA1
2156-IPA029N06NM5SXKSA1-448
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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