Número de Producto del Fabricante:
TP65H070LSG-TR
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
Número de pieza:
TP65H070LSG-TR-DG
Descripción:
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Inventario:
12375 Pcs Nuevos Originales En Stock
12950224
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ENVIAR
TP65H070LSG-TR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TP65H070L
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
85mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.8V @ 700µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
600 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
3-PQFN (8x8)
Paquete / Caja
3-PowerDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
1707-TP65H070LSG-CT
1707-TP65H070LSG-DKR
1707-TP65H070LSG-TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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