Número de Producto del Fabricante:
IPP65R110CFD7XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP65R110CFD7XKSA1-DG
Descripción:
HIGH POWER_NEW
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 114W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
515 Pcs Nuevos Originales En Stock
12950240
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPP65R110CFD7XKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™ CFD7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
22A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 480µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1942 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
114W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP65R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP005413367
448-IPP65R110CFD7XKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPP65R090CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
BSC004NE2LS5ATMA1
TRENCH <= 40V
IPT030N12N3GATMA1
TRENCH >=100V
