Número de Producto del Fabricante:
TW083N65C,S1F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TW083N65C,S1F-DG
Descripción:
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
162 Pcs Nuevos Originales En Stock
12986853
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ENVIAR
TW083N65C,S1F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
113mOhm @ 15A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 600µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
28 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
873 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
111W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247
Paquete / Caja
TO-247-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
264-TW083N65CS1F
TW083N65C,S1F(S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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