Número de Producto del Fabricante:
PSMN6R3-120PS
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
Número de pieza:
PSMN6R3-120PS-DG
Descripción:
PSMN6R3-120PS - N-CHANNEL 120V S
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 70A (Ta) 405W (Ta) Through Hole TO-220AB
Inventario:
319 Pcs Nuevos Originales En Stock
12986865
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ENVIAR
PSMN6R3-120PS Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
70A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
207.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11384 pF @ 60 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
405W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
141
Otros nombres
2156-PSMN6R3-120PS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificación DIGI
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