Número de Producto del Fabricante:
TPN4R806PL,L1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPN4R806PL,L1Q-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 72A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventario:
13199 Pcs Nuevos Originales En Stock
12920893
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ENVIAR
TPN4R806PL,L1Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
72A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 300µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2770 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
630mW (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPN4R806
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
264-TPN4R806PLL1QTR
264-TPN4R806PLL1QCT
264-TPN4R806PLL1QDKR
TPN4R806PL,L1Q(M
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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