TK16J60W5,S1VQ
Número de Producto del Fabricante:

TK16J60W5,S1VQ

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

TK16J60W5,S1VQ-DG

Descripción:

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-3P(N)

Inventario:

21 Pcs Nuevos Originales En Stock
12920898
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TK16J60W5,S1VQ Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
230mOhm @ 7.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 790µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1350 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P(N)
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
TK16J60

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
25
Otros nombres
TK16J60W5,S1VQ(O
264-TK16J60W5S1VQ

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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