Número de Producto del Fabricante:
TPH6400ENH,L1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPH6400ENH,L1Q-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 13A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventario:
17990 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890818
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TPH6400ENH,L1Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
64mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 300µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.6W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPH6400
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
TPH6400ENHL1QCT
TPH6400ENHL1QDKR
TPH6400ENH,L1Q(M
TPH6400ENH,L1QDKR
TPH6400ENH,L1QTR-DG
TPH6400ENH,L1QCT-DG
TPH6400ENH,L1QTR
TPH6400ENH,L1QDKR-DG
TPH6400ENHL1QTR
TPH6400ENH,L1QCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
2SK4016(Q)
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
TK4R4P06PL,RQ
MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
TK55D10J1(Q)
MOSFET N-CH 100V 55A TO220
