Número de Producto del Fabricante:
TK55D10J1(Q)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK55D10J1(Q)-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 55A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 55A (Ta) 140W (Tc) Through Hole TO-220(W)
Inventario:
12890827
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ENVIAR
TK55D10J1(Q) Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
55A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10.5mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5700 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
140W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220(W)
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TK55D10
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPP083N10N5AKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IPP083N10N5AKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.71
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
CSD19533KCS
FABRICANTE
Texas Instruments
CANTIDAD DISPONIBLE
2169
NÚMERO DE PIEZA
CSD19533KCS-DG
PRECIO UNITARIO
0.67
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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NÚMERO DE PARTE
STP120NF10
FABRICANTE
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CANTIDAD DISPONIBLE
18341
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
2.05
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PRECIO UNITARIO
0.90
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CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
3.09
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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