Número de Producto del Fabricante:
TPC8126,LQ(CM
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPC8126,LQ(CM-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 11A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Inventario:
12891356
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TPC8126,LQ(CM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2400 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP (5.5x6.0)
Paquete / Caja
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Número de producto base
TPC8126
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
TPC8126LQ(CM
TPC8126LQCM
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
2SK3906(Q)
MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
TPH1R712MD,L1Q
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
TK5A65DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS