Número de Producto del Fabricante:
TPH1R712MD,L1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPH1R712MD,L1Q-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 60A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventario:
12171 Pcs Nuevos Originales En Stock
12891359
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ENVIAR
TPH1R712MD,L1Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 30A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
182 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10900 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPH1R712
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
TPH1R712MD,L1Q(M
TPH1R712MDL1QDKR
TPH1R712MDL1QTR
TPH1R712MDL1QCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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