Número de Producto del Fabricante:
TK2R4E08QM,S1X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK2R4E08QM,S1X-DG
Descripción:
UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
176 Pcs Nuevos Originales En Stock
12965675
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ENVIAR
TK2R4E08QM,S1X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
U-MOSX-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.44mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 2.2mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13000 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK2R4E08QM,S1X(S
264-TK2R4E08QMS1X
264-TK2R4E08QM,S1X
264-TK2R4E08QM,S1X-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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