R6535KNX3C16
Número de Producto del Fabricante:

R6535KNX3C16

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

Número de pieza:

R6535KNX3C16-DG

Descripción:

650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventario:

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12965721
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R6535KNX3C16 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
115mOhm @ 18.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 1.3mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
370W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
R6535

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
R6535KNX3

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
846-R6535KNX3C16

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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