TK25E60X,S1X
Número de Producto del Fabricante:

TK25E60X,S1X

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

TK25E60X,S1X-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-220

Inventario:

13 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890046
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TK25E60X,S1X Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
DTMOSIV-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
125mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 1.2mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2400 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TK25E60

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK25E60X,S1X(S
TK25E60XS1X

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IPP65R125C7XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
470
NÚMERO DE PIEZA
IPP65R125C7XKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
2.09
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STP33N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
727
NÚMERO DE PIEZA
STP33N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
2.08
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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