Número de Producto del Fabricante:
TPN4R303NL,L1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPN4R303NL,L1Q-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 700mW (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventario:
4115 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890048
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ENVIAR
TPN4R303NL,L1Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
700mW (Ta), 34W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPN4R303
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
264-TPN4R303NL,L1QDKR
TPN4R303NL,L1Q(M
TPN4R303NLL1QCT
264-TPN4R303NL,L1QTR
TPN4R303NLL1QTR
TPN4R303NLL1QDKR
TPN4R303NLL1QTR-DG
264-TPN4R303NL,L1QCT
TPN4R303NLL1QDKR-DG
TPN4R303NLL1QCT-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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