Número de Producto del Fabricante:
TK18E10K3,S1X(S
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK18E10K3,S1X(S-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 18A (Ta) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12889644
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ENVIAR
TK18E10K3,S1X(S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
U-MOSIV
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
42mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33 nC @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TK18E10
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK18E10K3S1XS
TK18E10K3S1X(S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK110E10PL,S1X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
171
NÚMERO DE PIEZA
TK110E10PL,S1X-DG
PRECIO UNITARIO
0.44
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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