Número de Producto del Fabricante:
2SJ681(Q)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SJ681(Q)-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD2
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 5A (Ta) 20W (Ta) Through Hole PW-MOLD2
Inventario:
12889660
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ENVIAR
2SJ681(Q) Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
170mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
700 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
20W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PW-MOLD2
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
2SJ681
Información Adicional
Paquete Estándar
200
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)-DG
PRECIO UNITARIO
0.43
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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