Número de Producto del Fabricante:
SSM6N7002KFU,LXH
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6N7002KFU,LXH-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 300mA (Ta) 285mW (Ta) Surface Mount US6
Inventario:
8535 Pcs Nuevos Originales En Stock
12964412
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ENVIAR
SSM6N7002KFU,LXH Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVII-H
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
300mA (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
40pF @ 10V
Potencia - Máx.
285mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos del proveedor
US6
Número de producto base
SSM6N7002
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
264-SSM6N7002KFULXHCT
SSM6N7002KFU,LXH(B
264-SSM6N7002KFULXHTR
264-SSM6N7002KFULXHDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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