Número de Producto del Fabricante:
SSM6N62TU,LXHF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6N62TU,LXHF-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 800mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UF6
Inventario:
1455 Pcs Nuevos Originales En Stock
12964809
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ENVIAR
SSM6N62TU,LXHF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
800mA (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
85mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
177pF @ 10V
Potencia - Máx.
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivos del proveedor
UF6
Número de producto base
SSM6N62
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
264-SSM6N62TULXHFTR
264-SSM6N62TULXHFDKR
264-SSM6N62TULXHFCT
SSM6N62TU,LXHF(B
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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