Número de Producto del Fabricante:
SSM6N16FE,L3F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6N16FE,L3F-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A ES6
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventario:
7720 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889461
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SSM6N16FE,L3F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100mA (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (máx.) @ id
1.1V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9.3pF @ 3V
Potencia - Máx.
150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos del proveedor
ES6
Número de producto base
SSM6N16
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
SSM6N16FE,L3F(B
SSM6N16FEL3FCT
SSM6N16FEL3FTR
SSM6N16FEL3FDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SSM6N35AFU,LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
SSM6N7002BFU,LF
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
SSM6P35FE,LM
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
