Número de Producto del Fabricante:
SSM6N57NU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6N57NU,LF-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 4A 1W Surface Mount 6-µDFN (2x2)
Inventario:
5120 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889937
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ENVIAR
SSM6N57NU,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A
rds activados (máx.) @ id, vgs
46mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
310pF @ 10V
Potencia - Máx.
1W
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-WDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos del proveedor
6-µDFN (2x2)
Número de producto base
SSM6N57
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM6N57NULF(TTR-DG
SSM6N57NULF
SSM6N57NULF(TCT
SSM6N57NULFCT
SSM6N57NU,LF(B
SSM6N57NU,LFCT-DG
SSM6N57NULFTR
SSM6N57NU,LF(T
SSM6N57NULF(TDKR
SSM6N57NULF(TDKR-DG
SSM6N57NULF(TTR
SSM6N57NULFDKR
SSM6N57NULF(TCT-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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