Número de Producto del Fabricante:
SSM6N61NU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6N61NU,LF-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6UDFNB
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 4A 2W Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Inventario:
3000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890035
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SSM6N61NU,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A
rds activados (máx.) @ id, vgs
33mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
410pF @ 10V
Potencia - Máx.
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-WDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos del proveedor
6-UDFNB (2x2)
Número de producto base
SSM6N61
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM6N61NU,LF(T
SSM6N61NULFTR-DG
SSM6N61NULFDKR
SSM6N61NU,LF(B
SSM6N61NULFCT
SSM6N61NULFCT-DG
264-SSM6N61NU,LFDKR
264-SSM6N61NU,LFTR
264-SSM6N61NU,LFCT
SSM6N61NULFTR
SSM6N61NULFDKR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMN2022UNS-13
MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
TPC8207(TE12L)
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
SSM6N17FU(TE85L,F)
MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
