Número de Producto del Fabricante:
SSM6J215FE(TE85L,F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6J215FE(TE85L,F-DG
Descripción:
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 3.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventario:
27 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889758
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ENVIAR
SSM6J215FE(TE85L,F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
59mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
630 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
ES6
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Número de producto base
SSM6J215
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SSM6J215FE(TE85LFDKR
SSM6J215FE(TE85LFCT
SSM6J215FE(TE85LFTR
SSM6J215FETE85LF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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