Número de Producto del Fabricante:
SSM5H16TU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM5H16TU,LF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 1.9A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV
Inventario:
3515 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889779
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ENVIAR
SSM5H16TU,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIII
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4V
rds activados (máx.) @ id, vgs
133mOhm @ 1A, 4V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.9 nC @ 4 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
123 pF @ 15 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
UFV
Paquete / Caja
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Número de producto base
SSM5H16
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM5H16TULFCT
SSM5H16TU,LF(B
SSM5H16TULFDKR
SSM5H16TULFTR
SSM5H16TU,LF(T
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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