Número de Producto del Fabricante:
SSM3J356R,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3J356R,LF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Inventario:
189285 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889274
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ENVIAR
SSM3J356R,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
300mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
330 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23F
Paquete / Caja
SOT-23-3 Flat Leads
Número de producto base
SSM3J356
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM3J356RLFTR
SSM3J356R,LF(B
SSM3J356RLFDKR
SSM3J356RLFCT
SSM3J356R,LF(T
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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