Número de Producto del Fabricante:
TK28N65W,S1F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK28N65W,S1F-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 27.6A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
30 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889281
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ENVIAR
TK28N65W,S1F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
27.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 1.6mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3000 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
TK28N65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
TK28N65W,S1F(S
TK28N65WS1F
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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