Número de Producto del Fabricante:
2SK3309(TE24L,Q)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SK3309(TE24L,Q)-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
Descripción Detallada:
N-Channel 450 V 10A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount TO-220SM
Inventario:
12889192
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
2SK3309(TE24L,Q) Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
450 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
650mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
920 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SM
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
2SK3309
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TK32E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
TK4A60DB(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
TK4P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
