2SK3309(TE24L,Q)
Número de Producto del Fabricante:

2SK3309(TE24L,Q)

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

2SK3309(TE24L,Q)-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
Descripción Detallada:
N-Channel 450 V 10A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount TO-220SM

Inventario:

12889192
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

2SK3309(TE24L,Q) Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
450 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
650mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
920 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SM
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
2SK3309

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
toshiba-semiconductor-and-storage

TK32E12N1,S1X

MOSFET N CH 120V 60A TO-220

toshiba-semiconductor-and-storage

TK4A60DB(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TK4P50D(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TK20A60W,S5VX

MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS