Número de Producto del Fabricante:
TK32E12N1,S1X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK32E12N1,S1X-DG
Descripción:
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
78 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889193
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ENVIAR
TK32E12N1,S1X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13.8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 60 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
98W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TK32E12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK32E12N1S1X
TK32E12N1,S1X(S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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