Número de Producto del Fabricante:
2SA965-O,F(J
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SA965-O,F(J-DG
Descripción:
TRANS PNP 120V 0.8A TO92MOD
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 800 mA 120MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
Inventario:
12890727
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ENVIAR
2SA965-O,F(J Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
800 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
120 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 100mA, 5V
Potencia - Máx.
900 mW
Frecuencia - Transición
120MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92MOD
Número de producto base
2SA965
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
2SA965-OF(J
2SA965OFJ
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
2SA1201-Y(TE12L,ZC
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
788
NÚMERO DE PIEZA
2SA1201-Y(TE12L,ZC-DG
PRECIO UNITARIO
0.13
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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