Número de Producto del Fabricante:
2SA1930(LBS2MATQ,M
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SA1930(LBS2MATQ,M-DG
Descripción:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventario:
12890736
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ENVIAR
2SA1930(LBS2MATQ,M Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
2 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
180 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
Corriente - Corte del colector (máx.)
5µA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 100mA, 5V
Potencia - Máx.
2 W
Frecuencia - Transición
200MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220NIS
Número de producto base
2SA1930
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
2SA1930(LBS2MATQM
2SA1930LBS2MATQM
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificación DIGI
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