Número de Producto del Fabricante:
TSM60NB600CH
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM60NB600CH-DG
Descripción:
600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventario:
12998465
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TSM60NB600CH Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
516 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251 (IPAK)
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
TSM60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
15,000
Otros nombres
1801-TSM60NB600CH
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPSA70R600P7SAKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IPSA70R600P7SAKMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.27
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPT65R155CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW
TSM190N08CZ
75V, 190A, SINGLE N-CHANNEL POWE
TSM9409CS
-60V, -3.5A, SINGLE P-CHANNEL PO