Número de Producto del Fabricante:
TSM190N08CZ
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM190N08CZ-DG
Descripción:
75V, 190A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Descripción Detallada:
N-Channel 75 V 17A (Ta), 190A (Tc) 2W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12998481
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ENVIAR
TSM190N08CZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
75 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17A (Ta), 190A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8600 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TSM190
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
1801-TSM190N08CZ
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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