Número de Producto del Fabricante:
STP11NM60N
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STP11NM60N-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12877368
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ENVIAR
STP11NM60N Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
MDmesh™ II
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
450mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
850 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
STP11N
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
STP11NM60N-DG
497-5887-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFP10N60P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
70
NÚMERO DE PIEZA
IXFP10N60P-DG
PRECIO UNITARIO
1.73
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTP8N70X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
28
NÚMERO DE PIEZA
IXTP8N70X2-DG
PRECIO UNITARIO
1.74
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
FCP11N60F
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
996
NÚMERO DE PIEZA
FCP11N60F-DG
PRECIO UNITARIO
1.38
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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