Número de Producto del Fabricante:
FCP11N60F
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCP11N60F-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
996 Pcs Nuevos Originales En Stock
12851177
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ENVIAR
FCP11N60F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
SuperFET™
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1490 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FCP11
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
FCP11N60F-DG
FCP11N60FFS
1990-FCP11N60F
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SIHP15N60E-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
16573
NÚMERO DE PIEZA
SIHP15N60E-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.26
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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FABRICANTE
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CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
2.28
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0
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PRECIO UNITARIO
1.02
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CANTIDAD DISPONIBLE
988
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PRECIO UNITARIO
1.09
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CANTIDAD DISPONIBLE
87
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PRECIO UNITARIO
1.64
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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