Número de Producto del Fabricante:
STFW3N170
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STFW3N170-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT
Descripción Detallada:
N-Channel 1700 V 2.6A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventario:
12873849
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
STFW3N170 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
PowerMESH™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PF
Paquete / Caja
TO-3P-3 Full Pack
Número de producto base
STFW3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
497-16308-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
STN2NE10
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
STSJ60NH3LL
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOIC
STP120NF10
MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
