Número de Producto del Fabricante:
STSJ60NH3LL
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STSJ60NH3LL-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOIC
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP
Inventario:
3885 Pcs Nuevos Originales En Stock
12873853
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ENVIAR
STSJ60NH3LL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
STripFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.7mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1810 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC-EP
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Número de producto base
STSJ60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
497-5252-2
1805-STSJ60NH3LLDKR
497-5252-1
497-5252-6
-497-5252-6
-497-5252-1
-497-5252-2
1805-STSJ60NH3LLCT
1805-STSJ60NH3LLTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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