Número de Producto del Fabricante:
SCT3080KW7TL
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
SCT3080KW7TL-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 159W Surface Mount TO-263-7
Inventario:
785 Pcs Nuevos Originales En Stock
12945375
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ENVIAR
SCT3080KW7TL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
104mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
5.6V @ 5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
785 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
159W
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
SCT3080
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
846-SCT3080KW7TLTR
846-SCT3080KW7TLDKR
846-SCT3080KW7TLCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
G3R75MT12J
FABRICANTE
GeneSiC Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
4
NÚMERO DE PIEZA
G3R75MT12J-DG
PRECIO UNITARIO
10.37
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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