Número de Producto del Fabricante:
G3R75MT12J
Product Overview
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Número de pieza:
G3R75MT12J-DG
Descripción:
SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 42A (Tc) 224W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventario:
4 Pcs Nuevos Originales En Stock
12945377
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
G3R75MT12J Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
G3R™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
42A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
90mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
2.69V @ 7.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
54 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1560 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
224W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
G3R75
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
1242-G3R75MT12J
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
G3R75MT12J-TR
FABRICANTE
GeneSiC Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
2863
NÚMERO DE PIEZA
G3R75MT12J-TR-DG
PRECIO UNITARIO
7.59
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
G3R40MT12J
SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
G3R20MT17K
SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
G3R45MT17D
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3