Número de Producto del Fabricante:
SCT3030AW7TL
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
SCT3030AW7TL-DG
Descripción:
SICFET N-CH 650V 70A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 70A (Tc) 267W Surface Mount TO-263-7
Inventario:
437 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977968
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SCT3030AW7TL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
70A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
39mOhm @ 27A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
5.6V @ 13.3mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
104 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1526 pF @ 500 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
267W
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
SCT3030
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
846-SCT3030AW7TLCT
846-SCT3030AW7TLTR
846-SCT3030AW7TLDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
G3R350MT12J
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
IRF9630PBF-BE3
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
IQE006NE2LM5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
