Número de Producto del Fabricante:
IQE006NE2LM5ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IQE006NE2LM5ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-4
Inventario:
4039 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977988
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ENVIAR
IQE006NE2LM5ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
41A (Ta), 298A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
650mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
82.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5453 pF @ 12 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSON-8-4
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
IQE006
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-IQE006NE2LM5ATMA1TR
448-IQE006NE2LM5ATMA1DKR
448-IQE006NE2LM5ATMA1CT
SP002434946
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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