Número de Producto del Fabricante:
RW1E015RPT2R
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RW1E015RPT2R-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Inventario:
303 Pcs Nuevos Originales En Stock
13080619
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ENVIAR
RW1E015RPT2R Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
160mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.2 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
230 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-WEMT
Paquete / Caja
6-SMD, Flat Leads
Número de producto base
RW1E015
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
RW1E015RPT2RCT
846-RW1E015RPT2RCT
846-RW1E015RPT2RTR
RW1E015RPT2RTR
846-RW1E015RPT2RDKR
RW1E015RPT2RDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RV4E031RPHZGTCR1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
5852
NÚMERO DE PIEZA
RV4E031RPHZGTCR1-DG
PRECIO UNITARIO
0.24
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
SSM6J207FE,LF
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
3995
NÚMERO DE PIEZA
SSM6J207FE,LF-DG
PRECIO UNITARIO
0.08
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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