IRFS614B
Número de Producto del Fabricante:

IRFS614B

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

IRFS614B-DG

Descripción:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 2.8A (Tj) 22W (Tc) Through Hole TO-220F

Inventario:

46499 Pcs Nuevos Originales En Stock
13110694
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ENVIAR

IRFS614B Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Embalaje
Bulk
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.8A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
275 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
22W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
1,665
Otros nombres
FAIFSCIRFS614B
2156-IRFS614B

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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