Número de Producto del Fabricante:
RQ6E055BNTCR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RQ6E055BNTCR-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 5.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventario:
2970 Pcs Nuevos Originales En Stock
13527431
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ENVIAR
RQ6E055BNTCR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
355 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TSMT6 (SC-95)
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
RQ6E055
Hoja de Datos y Documentos
Recursos de diseño
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
RQ6E055BNTCRCT
RQ6E055BNTCRTR
RQ6E055BNTCRDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDC855N
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
10062
NÚMERO DE PIEZA
FDC855N-DG
PRECIO UNITARIO
0.22
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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