Número de Producto del Fabricante:
FDC855N
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDC855N-DG
Descripción:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 6.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventario:
10062 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946497
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ENVIAR
FDC855N Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
27mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
655 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SuperSOT™-6
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,265
Otros nombres
FAIFSCFDC855N
2156-FDC855N
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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