Número de Producto del Fabricante:
RD3L08BGNTL
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RD3L08BGNTL-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
1415 Pcs Nuevos Originales En Stock
13525521
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ENVIAR
RD3L08BGNTL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3620 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
119W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
RD3L08
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
RD3L08BGNTLDKR
RD3L08BGNTLTR
RD3L08BGNTLCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK6R7P06PL,RQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
22356
NÚMERO DE PIEZA
TK6R7P06PL,RQ-DG
PRECIO UNITARIO
0.31
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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