Número de Producto del Fabricante:
R6035ENZ1C9
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R6035ENZ1C9-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
13525551
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ENVIAR
R6035ENZ1C9 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
102mOhm @ 18.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2720 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247
Paquete / Caja
TO-247-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
450
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK25N60X,S1F
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
TK25N60X,S1F-DG
PRECIO UNITARIO
2.01
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21
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