Número de Producto del Fabricante:
NP35N04YLG-E1-AY
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
NP35N04YLG-E1-AY-DG
Descripción:
ABU / MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 35A (Tc) 1W (Ta), 77W (Tc) Surface Mount 8-HSON (5x5.4)
Inventario:
4980 Pcs Nuevos Originales En Stock
12973877
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ENVIAR
NP35N04YLG-E1-AY Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.7mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2850 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta), 77W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HSON (5x5.4)
Paquete / Caja
8-PowerLDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
559-NP35N04YLG-E1-AYDKR
-1161-NP35N04YLG-E1-AY
-1161-NP35N04YLG-E1-AYCT
559-NP35N04YLG-E1-AY-DG
-1161-NP35N04YLG-E1-AY-DG
559-NP35N04YLG-E1-AYTR
559-NP35N04YLG-E1-AY
559-NP35N04YLG-E1-AYCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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